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功耗降低50%!三星突破3nm,成功超越臺(tái)積電

時(shí)間:2021-06-30 18:08來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 瀏覽:
本文原創(chuàng),請(qǐng)勿抄襲和搬運(yùn),違者必究三星傳來(lái)新消息,事關(guān)3nm芯片臺(tái)積電一直是芯片制造行業(yè)的巨頭,市場(chǎng)份額世界第一,遠(yuǎn)超三星、中芯國(guó)際、英特爾

本文原創(chuàng),請(qǐng)勿抄襲和搬運(yùn),違者必究

三星傳來(lái)新消息,事關(guān)3nm芯片

臺(tái)積電一直是芯片制造行業(yè)的巨頭,市場(chǎng)份額世界第一,遠(yuǎn)超三星、中芯國(guó)際、英特爾等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。但是并不意味著臺(tái)積電就可以高枕無(wú)憂,因?yàn)槿且苍诩泳o攻克先進(jìn)工藝。

功耗降低50%!三星突破3nm,成功超越臺(tái)積電

目前臺(tái)積電和三星都成功突破了5nm量產(chǎn)技術(shù),并且各自生產(chǎn)出A14,驍龍888等高端旗艦芯片。據(jù)臺(tái)積電的工藝路線可知,更先進(jìn)的3nm需要到2022年下半年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在此之前,還處在部署階段。

然而,三星傳來(lái)新消息,率先臺(tái)積電在3nm取得突破。據(jù)三星宣布,3nm芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了流片。在與新思科技合作后,雙方共同開發(fā)出了GAA架構(gòu),在這一架構(gòu)下,3nm制程的芯片完成的流片測(cè)試。

功耗降低50%!三星突破3nm,成功超越臺(tái)積電

而且在性能方面,3nm的GAA工藝超越了臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)。相比于5nm制程,三星的3nm功耗可以降低50%,性能提升30%。整體的芯片運(yùn)行效率,性能表現(xiàn)都實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。

三星傳來(lái)3nm的新消息,流片意味著三星已經(jīng)完成了芯片測(cè)試。接下來(lái)就是等待進(jìn)一步的大規(guī)模量產(chǎn),就算再慢,恐怕也能在臺(tái)積電量產(chǎn)3nm之前,取得量產(chǎn)突破。

功耗降低50%!三星突破3nm,成功超越臺(tái)積電

臺(tái)積電始料未及

人類的芯片工藝節(jié)點(diǎn)再次向前邁進(jìn),以前一直是臺(tái)積電處于領(lǐng)先地位。幾乎每一項(xiàng)的工藝制程都是臺(tái)積電率先實(shí)現(xiàn)突破,包括5nm也比三星提前幾個(gè)季度量產(chǎn)。可是臺(tái)積電始料未及,萬(wàn)萬(wàn)沒有想到三星的發(fā)展速度這么快。

或許從3nm開始,三星要開始發(fā)力了。值得注意的是,三星能夠這么快取得3nm的流片,其實(shí)是和美國(guó)新思科技公司共同努力的成果,雙方參與了GAA架構(gòu)的流片研究,實(shí)現(xiàn)比FinFET更好的靜電特性。

功耗降低50%!三星突破3nm,成功超越臺(tái)積電

三星通過(guò)合作的方式取得3nm的突破,而臺(tái)積電一直是單打獨(dú)斗。但不論如何,取得的突破都是實(shí)實(shí)在在地。不只是3nm,2nm恐怕也會(huì)是三星領(lǐng)先。

今年5月份傳來(lái)IBM公司研制出2nm芯片的消息,這一消息的傳出引起世界半導(dǎo)體行業(yè)的功耗降低50%!三星突破3nm,成功超越臺(tái)積電

不過(guò)這家美國(guó)計(jì)算機(jī)公司并不具備實(shí)際制造的能力,研制出2nm也僅僅是制造技術(shù)。將來(lái)IBM如果要打造2nm的話,很大程度上會(huì)和三星合作,把這項(xiàng)2nm芯片制造技術(shù)交給三星生產(chǎn)。

關(guān)于2nm,臺(tái)積電還并未傳來(lái)相關(guān)技術(shù)進(jìn)展,雖然不排除保密的原因,但如果得到IBM 2nm芯片技術(shù)的支持,三星有望引領(lǐng)一個(gè)工藝制程時(shí)代的發(fā)展。這也是臺(tái)積電始料未及的地方。

功耗降低50%!三星突破3nm,成功超越臺(tái)積電

三星目標(biāo)能否實(shí)現(xiàn)?

三星已經(jīng)在加快腳步了,雖然臺(tái)積電在產(chǎn)能,市場(chǎng)份額都有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),但三星并沒有放棄追趕。目標(biāo)是在未來(lái)十年內(nèi),超越臺(tái)積電成為全球最大的芯片廠商。

對(duì)此,三星還將2030年之前的投資提升至1514億美元,在非存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域加大投資力度。和臺(tái)積電正面競(jìng)爭(zhēng),并一舉超越臺(tái)積電。

功耗降低50%!三星突破3nm,成功超越臺(tái)積電

那么三星的目標(biāo)能否實(shí)現(xiàn)呢?就目前三星的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,已經(jīng)在某個(gè)技術(shù)領(lǐng)域威脅到臺(tái)積電的地位了。如果三星能大幅度提升產(chǎn)能,并且穩(wěn)定良率的話,或許會(huì)縮短和臺(tái)積電市場(chǎng)份額的距離。

而且摩爾定律終會(huì)走到盡頭,臺(tái)積電發(fā)展得再快,也終有放慢腳步的一天。到時(shí)候三星的機(jī)會(huì)就來(lái)了,不過(guò)三星還并未取得3nm的量產(chǎn),想要超越臺(tái)積電不是一個(gè)小目標(biāo)。就看三星是否還有更多的底牌了。

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總結(jié)

三星3nm流片成功,這對(duì)芯片行業(yè)無(wú)疑是一個(gè)重磅消息。不僅給了全球半導(dǎo)體更大的市場(chǎng)空間,也讓各大巨頭們開始加速3nm的研發(fā)設(shè)計(jì)。

不出意外,明年下半年會(huì)迎來(lái)一系列的3nm芯片產(chǎn)品上市,在消費(fèi)市場(chǎng)的背后,其實(shí)也是臺(tái)積電,三星的暗自較量。三星不會(huì)放棄追趕,臺(tái)積電也會(huì)繼續(xù)前進(jìn),誰(shuí)能更勝一籌,讓我們拭目以待。

對(duì)三星3nm流片成功你有什么看法呢?

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