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華為海思實現(xiàn)技術突破!繞開光刻機,14nm性能堪

時間:2021-06-30 18:08來源:網(wǎng)絡整理 瀏覽:
華為海思的由來時間來到2004年之后,由于在asic之中已經(jīng)獲得了一定的突破,所以在這種設計中心的基礎之上,成立了深圳海思半導體有限公司,這
華為海思的由來

時間來到2004年之后,由于在asic之中已經(jīng)獲得了一定的突破,所以在這種設計中心的基礎之上,成立了深圳海思半導體有限公司,這就是我們現(xiàn)在經(jīng)常所說的華為海思。

華為海思實現(xiàn)技術突破!繞開光刻機,14nm性能堪比7nm

華為海思是華為全資控股的子公司,實際上華為就是海思,海思就是華為。與華為一樣,海思并沒有上市,所以很多相關的信息都沒有披露,一直以來,由于行事低調(diào),所以導致華為海思身上籠罩著一層神秘的面紗,外界對于華為海思的了解還是還是非常片面的。

華為海思實現(xiàn)技術突破!繞開光刻機,14nm性能堪比7nm

海思雖然從事芯片的研發(fā),但并不限于手機芯片,其所提供的是數(shù)字家庭通信以及無線終端領域的芯片解決方案,也就是手機芯片,移動通信系統(tǒng),設備芯片,家庭數(shù)字設備芯片等等。

華為海思實現(xiàn)技術突破!繞開光刻機,14nm性能堪比7nm

2020年芯片禁令實施,導致華為海思所設計的芯片沒有辦法進行代工麒麟系列芯片,陷入到了一種困境之中,彼時的海思麒麟芯片已經(jīng)足以能夠與蘋果的a系列以及高通的驍龍系列相媲美,但也因為沒有代工廠的原因,導致麒麟芯片現(xiàn)在陷入到一種困境之中。

好消息傳來

不過最近有好消息傳來,6月23日,相關知名博主帶來了一個好消息,表示華為海思研究出了一種全新的方案,很有可能會繞過EUV光刻機實現(xiàn)等效的7納米芯片生產(chǎn)。這種方案是將兩顆14納米芯片疊加,使得芯片性能提升到7納米級別,雖然比起7納米方案來講,尺寸要大一點,但是功耗,發(fā)熱相對來講比起7納米還要優(yōu)秀。

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這對于目前的我們來講無疑是一個好消息,要知道想要生產(chǎn)10 納米以下工藝芯片,那么EUV光刻機是必不可少的,而目前來講,全球只有阿斯麥能夠生產(chǎn)出這種EUV光刻機,但由于美國這邊的壓力,這種先進的光刻機并沒有獲得出口許可,這就使得國內(nèi)芯片制造工藝長時間被擋在10 納米之外。

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而現(xiàn)在我們終于能夠繞開EUV光刻機去生產(chǎn)出7納米芯片,如果這個方案真的能夠進行量產(chǎn),那么國產(chǎn)芯片自有率將會大幅度的提升,伴隨著芯片不斷升級,芯片工藝,產(chǎn)能需求也會不斷擴大,而在這種技術的價值之下,中芯國際等等國內(nèi)芯片制造公司很有可能會獲得國內(nèi)外市場的更多訂單。

華為海思實現(xiàn)技術突破!繞開光刻機,14nm性能堪比7nm

而那些因為一些原因沒有辦法實現(xiàn)芯片生產(chǎn)的國企,也很有可能會借此技術實現(xiàn)高端芯片的資產(chǎn)。

未來可期

當然有一說一,站在技術的角度上來講,中芯國際目前雖然被稱為是國內(nèi)最大的芯片代工廠,但是比起臺積電以及三星這種代工企業(yè)巨頭來講,還要差很多,不過長遠來看,如果想要在芯片賽道上反超國際巨頭,那么中芯國際是一個關鍵角色,只要中芯國際能夠突破技術極限,那么就足以能夠帶領中國芯片走向更加先進的制程。

華為海思實現(xiàn)技術突破!繞開光刻機,14nm性能堪比7nm

此次這樣一個好消息的傳來,標志著國內(nèi)芯片邁向了更加成熟的一個地步,也相信在未來的發(fā)展之中,國內(nèi)芯片將會迎來更好的發(fā)展。雖然在芯片禁令之中我們失去了不少,但是卻也得到了不少。

華為海思實現(xiàn)技術突破!繞開光刻機,14nm性能堪比7nm

可能在未來的發(fā)展之中,我們所要去面對的還有很多,但是相信,在國內(nèi)各大企業(yè)的不斷努力之下,在國家的大力扶持之下,我們一定會迎來更好的未來。中國芯片,未來可期。

作者:科技暢談社

來源:https://baijiahao.baidu.com/s?id=1703806005115175307

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