對3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球將大規(guī)模量產100+層的3D閃存。
不過每家的技術方案不同，東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的，美光、SK海力士有128層的，Intel的是144層，而且是浮柵極技術的，三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層，今年也是量產的主力。
韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
在136層之后，三星目前正在研發(fā)160層及以上的3D閃存，將成為第七代V-NAND閃存的基礎。
考慮到三星在NAND閃存行業(yè)占據(jù)了超過1/3的份額，實力是最強的，不出意外160+層堆棧的閃存應該也會是他們首發(fā)，繼續(xù)保持閃存技術上的優(yōu)勢，拉開與對手的差距。
其實單從層數(shù)上來說，三星的160層+還不是最高的，SK Hynix去年宣布正在研發(fā)176層堆棧的4D閃存，不過他們的閃存結構甚至命名都跟其他廠商有所不同，不能單看層數(shù)高低。
前幾天，原來的東芝存儲更名后的鎧俠存儲發(fā)布了13款新品，借著這次機會，鎧俠也在不經意間徹底淘汰了OCZ品牌。
作為NADN閃存的發(fā)明人，東芝存儲（TMC）在閃存行業(yè)僅次于三星，BiCS閃存技術路線也是獨一份的。
責編：Yvonne Geng
