今天，本土存儲大廠長江存儲科技有限責任公司宣布，其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
據長江存存儲介紹，X2-6070作為業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊（Grace）表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數千長存人汗水的凝聚，也是全球產業(yè)鏈上下游通力協作的成果。隨著Xtacking? 2.0時代的到來，長江存儲有決心，有實力，有能力開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài)，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢，達到互利共贏?！?/p>
X2-6070充分發(fā)揮QLC技術特點
對閃存技術有了解的讀者應該都知道，NAND 閃存通?？梢苑譃镾LC、MLC、TLC和QLC四類，QLC就是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND的第四代存儲方式，也是當前最新一代的閃存技術。從原理上看，QLC的每個單元可儲存4個數據，那就意味著與前三種閃存相比，QLC閃存可以在同等的die面積上，存儲更多的數據。擁有成本更低、容量更大、高密更高等特點，適合于讀取密集型應用。
長江存儲方面也表示，其每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元 ，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數據，共提供1.33Tb的存儲容量。
如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
閃存和SSD領域知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認為：“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲介質。隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來市場增量將非?？捎^?！盙regory同時表示：“與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢。在企業(yè)級領域， QLC SSD將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲，使其更適用于AI計算，機器學習，實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及?！?/p>
Xtacking 2.0 進一步釋放閃存潛能
在2018年7月，長江存儲發(fā)布了其突破性3D NAND 架構Xtacking。為3D NAND閃存帶來前所未有的高性能，更高的存儲密度，以及更短的上市周期：
首先，這個創(chuàng)新的架構可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣就有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
其次，傳統(tǒng)的3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。而長江存儲的Xtacking技術將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。
第三．Xtacking技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優(yōu)勢，實現了并行的、模塊化的產品設計及制造，產品開發(fā)時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實現NAND閃存的定制化提供了可能。
而伴隨著128層閃存的發(fā)布，長江存儲已經將Xtacking升級到2.0，進一步釋放3D NAND閃存的潛力。
據了解，在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數據傳輸速率，為當前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進的制程，同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking?2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。未來，長江存儲將與合作伙伴攜手，構建定制化NAND商業(yè)生態(tài)，共同推動產業(yè)繁榮發(fā)展。
通過對技術創(chuàng)新的持續(xù)投入，長江存儲在短短已經走過了32層、62層的閃存歷程，現在更是成功研發(fā)出128層的兩款產品，這確立了公司在存儲行業(yè)的技術創(chuàng)新領導力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長江存儲通過X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking架構的前瞻性和成熟度，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實可行的路徑。
“我們相信，長江存儲128層系列產品將會為合作伙伴帶來更大的價值，具有廣闊的市場應用前景。其中，128層QLC 版本將率先應用于消費級SSD，并逐步進入企業(yè)級服務器、數據中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化數據存儲需求”，龔翊（Grace）強調。
