今天，本土存儲(chǔ)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
據(jù)長(zhǎng)江存存儲(chǔ)介紹，X2-6070作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售高級(jí)副總裁龔翊（Grace）表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長(zhǎng)存人汗水的凝聚，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking? 2.0時(shí)代的到來，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有決心，有實(shí)力，有能力開創(chuàng)一個(gè)嶄新的商業(yè)生態(tài)，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢(shì)，達(dá)到互利共贏?！?/p>
X2-6070充分發(fā)揮QLC技術(shù)特點(diǎn)
對(duì)閃存技術(shù)有了解的讀者應(yīng)該都知道，NAND 閃存通常可以分為SLC、MLC、TLC和QLC四類，QLC就是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND的第四代存儲(chǔ)方式，也是當(dāng)前最新一代的閃存技術(shù)。從原理上看，QLC的每個(gè)單元可儲(chǔ)存4個(gè)數(shù)據(jù)，那就意味著與前三種閃存相比，QLC閃存可以在同等的die面積上，存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。擁有成本更低、容量更大、高密更高等特點(diǎn)，適合于讀取密集型應(yīng)用。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)方面也表示，其每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲(chǔ)單元 ，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。
如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC芯片相當(dāng)于提供3,665億個(gè)房間，每個(gè)房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
閃存和SSD領(lǐng)域知名市場(chǎng)研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認(rèn)為：“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。隨著主流消費(fèi)類SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來市場(chǎng)增量將非常可觀。”Gregory同時(shí)表示：“與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢(shì)。在企業(yè)級(jí)領(lǐng)域， QLC SSD將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來更低的讀延遲，使其更適用于AI計(jì)算，機(jī)器學(xué)習(xí)，實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。在消費(fèi)類領(lǐng)域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及?！?/p>
Xtacking 2.0 進(jìn)一步釋放閃存潛能
在2018年7月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了其突破性3D NAND 架構(gòu)Xtacking。為3D NAND閃存帶來前所未有的高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的上市周期：
首先，這個(gè)創(chuàng)新的架構(gòu)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣就有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
其次，傳統(tǒng)的3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。
第三．Xtacking技術(shù)充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。
而伴隨著128層閃存的發(fā)布，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將Xtacking升級(jí)到2.0，進(jìn)一步釋放3D NAND閃存的潛力。
據(jù)了解，在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當(dāng)前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲(chǔ)單元分別采用獨(dú)立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進(jìn)的制程，同時(shí)在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking?2.0還為3D NAND帶來更佳的擴(kuò)展性。未來，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與合作伙伴攜手，構(gòu)建定制化NAND商業(yè)生態(tài)，共同推動(dòng)產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。
通過對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在短短已經(jīng)走過了32層、62層的閃存歷程，現(xiàn)在更是成功研發(fā)出128層的兩款產(chǎn)品，這確立了公司在存儲(chǔ)行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking架構(gòu)的前瞻性和成熟度，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實(shí)可行的路徑。
“我們相信，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層系列產(chǎn)品將會(huì)為合作伙伴帶來更大的價(jià)值，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。其中，128層QLC 版本將率先應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)SSD，并逐步進(jìn)入企業(yè)級(jí)服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，以滿足未來5G、AI時(shí)代多元化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求”，龔翊（Grace）強(qiáng)調(diào)。
