與非網(wǎng) 3 月 31 日訊，美光宣布將在 2018 年暫停 HMC 的工作，并決定致力于 GDDR6 和 HBM 的開發(fā)。因此他們將會(huì)在今年的某個(gè)時(shí)候發(fā)布搭載HBM2DRAM的產(chǎn)品。
美光此前的開發(fā)重心都放在專有的混合存儲(chǔ)多維數(shù)據(jù)集(HMC)DRAM 類型上，但該類型的 DRAM 并沒有獲得太多客戶的青睞，因此沒有獲得足夠的支持。
據(jù)悉，美光將會(huì)在今年的某個(gè)時(shí)候發(fā)布搭載 HBM2 DRAM 的產(chǎn)品。在其最新財(cái)報(bào)中，披露了旗下第二代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM2)即將開始出貨。由于價(jià)格相對(duì)高昂，HBM2 主要應(yīng)用于高性能顯卡、服務(wù)器處理器以及高端處理器中。
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，第二代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM2)指定每個(gè)堆棧 8 個(gè)裸晶及每針傳輸速度上至 2 GT/s 的標(biāo)準(zhǔn)。為保持 1024 bit 的訪問，第二代高帶寬存儲(chǔ)器得以在每個(gè)封裝中達(dá)到 256GB/s 的內(nèi)存帶寬及最高 8GB 容量。業(yè)界預(yù)測(cè)第二代高帶寬存儲(chǔ)器對(duì)極其需要性能的應(yīng)用程序，如虛擬現(xiàn)實(shí)，至關(guān)重要。
三星半導(dǎo)體早在 2016 年 1 月 19 日就宣布第二代高帶寬存儲(chǔ)器的進(jìn)入早期量產(chǎn)階段，每個(gè)堆棧均擁有 8GB 的內(nèi)存；SK 海力士隨即宣布在 2016 年 8 月發(fā)布 4GB 版本的內(nèi)存。
雖然美光有點(diǎn)姍姍來遲，但是隨著美光即將出貨 HBM2 顯存，存儲(chǔ)器市場(chǎng)將再次形成三雄鼎立的局面。
