由于 IGBT 行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進程中一直進展緩慢，隨著全球制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移，我國功率半導體市場占世界市場的 50%以上，是全球最大的 IGBT 市場，但 IGBT 產(chǎn)品嚴重依賴進口，在中高端領(lǐng)域更是 90%以上的 IGBT 器件依賴進口，IGBT 國產(chǎn)化需求已是刻不容緩。
IGBT 作為功率半導體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，近年來，隨著新能源汽車以及軌道交通等市場的崛起，市場規(guī)模與日俱增。
數(shù)據(jù)顯示，2010 年，全球 IGBT 市場規(guī)模僅為 30.36 億美元，到了 2018 年，增長到 58.26 億美元，年復合增長率達到了 9.8%。而在各大市場中，尤以中國市場的增速最快，高達 18.2%。
這主要是歸因于中國軌道交通和電動汽車市場的快速增長，這兩大市場不僅對于 IGBT 市場有著極大的需求，也因為其需求正不斷的推進 IGBT 市場和技術(shù)的快速發(fā)展。
據(jù)市場研究機構(gòu) IC Insights 指出，在各類半導體功率器件組件中，未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。除增長強勁外，IGBT 也是含金量最高的功率器件。
近日，有消息稱，華為也開始研發(fā) IGBT，目前正在從某國內(nèi)領(lǐng)先的 IBGT 廠商中挖人。據(jù)了解，憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢，華為早已成為 UPS 電源的領(lǐng)軍企業(yè)，占據(jù)全球數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域第一的市場份額，而 IGBT 作為能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷彩侨A為 UPS 電源的核心器件。
在華為被卷入中美貿(mào)易戰(zhàn)之前，華為海思主要研發(fā)數(shù)字芯片，并不涉及功率半導體，而華為所需的 IGBT 產(chǎn)品主要從英飛凌等 IGBT 原廠處采購。華為被列入實體清單后，有消息稱，英飛凌在美國政府的施壓下曾暫停供貨，盡管英飛凌很快澄清了該傳聞，并表示，其向華為提供的絕大多數(shù)產(chǎn)品都不受美國出口管制法限制，因此這些產(chǎn)品將繼續(xù)供貨。
雖不知英飛凌的 IGBT 產(chǎn)品是否受到出口管制的影響，但這件事顯然給了華為警醒。目前，在二極管、整流管、mos 管等領(lǐng)域，華為正在積極與安世半導體、華微電子等國內(nèi)廠商合作，加大對國內(nèi)功率半導體產(chǎn)品的采購量，而在高端 IGBT 領(lǐng)域，華為卻不得不開啟自研之路。
金智創(chuàng)新行業(yè)研究中心的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2017 年英飛凌占全球市場份額的 27.1%、三菱市場占有率為 16.4%、日本富士電機市場占有率為 10.7%，2017 年全球前五大生產(chǎn)商占據(jù)了市場總量的 67.5%。
在國內(nèi)市場，中高端 IGBT 產(chǎn)能嚴重不足，長期依賴國際巨頭，導致“一芯難求”。有業(yè)內(nèi)人士表示，國內(nèi)能真正做 IGBT 芯片的廠商總共也沒有幾家，真正做的比較好的，基本都是從封裝做起的，靠封裝在市場上站穩(wěn)了腳跟，逐漸一款一款地研發(fā)芯片。
由于 IGBT 產(chǎn)品主要集中在幾家國外廠商手中，這就很難滿足全球市場對于 IGBT 的需求，以及不同應用所提出的定制化要求。在這種情況之下，很多國內(nèi)廠商也都開始尋找國內(nèi)的供應鏈。
除新入局的華為外，我國 IGBT 產(chǎn)業(yè)化水平有了一定提升，比亞迪微電子、中車時代半導體、斯達股份、士蘭微等部分企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，在市場上也有不錯的表現(xiàn)。
比亞迪微電子、斯達股份等國內(nèi)領(lǐng)先的 IGBT 廠商紛紛開啟上市征程，期望借助資本的力量再上新臺階。顯然，一場關(guān)于 IGBT 國產(chǎn)替代的“戰(zhàn)役”正在拉開帷幕。
