作者 朱紫薇
11月28日晚，集微網援引業(yè)內人士的話透露，華為已開始自主研發(fā)IGBT器件，目前正在從某國內領先的IGBT廠商中挖人。
IGBT作為自動控制和功率變換的核心部件，對于軌道交通、航空航天、新能源、智能電網、智能家電這些朝陽產業(yè)至關重要。
據(jù)華為官網顯示，IGBT早已成為其UPS電源的核心器件。做為一種雙極晶體管復合的器件，IGBT不僅具有易于驅動，控制簡單，開關頻率高等優(yōu)點，同時又具備導通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小等技術優(yōu)勢。
但據(jù)公開消息表示，華為的研發(fā)此前并不涉及功率半導體，而其需要的IGBT產品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購。
不過，在被美國加入 “實體清單”后，華為選擇開始研發(fā)IGBT器件。
集微網稱，隨著全球制造業(yè)向中國的轉移，我國功率半導體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場。
但IGBT產品嚴重依賴進口，長期被英飛凌，三菱，富士電機等國外巨頭壟斷全球場。
更值得注意的是，在中高端領域的IGBT器件更是90%以上依賴進口，IGBT國產化迫在眉睫。
從2011年12月，北車西安永電成為國內第一個、世界第四個，能夠封裝6500V以上IGBT產品的企業(yè)，再到2015年10月，中車永電與上海先進半導體公司聯(lián)合開發(fā)的，國內首個具有完全知識產權的6500V高鐵機車用IGBT芯片，通過高鐵系統(tǒng)上車試驗。
事實上，中國一直試圖打破IGBT基本依賴于進口的窘境。
值得一提的是，工信部也在10月8日表示，將持續(xù)推進芯片、IGBT模塊等產業(yè)發(fā)展。
