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本文來自cnBeta.COM
發(fā)布兩個(gè)月后，英特爾終于在今日正式放出了第二代 QLC 固態(tài)硬盤新品，它就是采用了新一代 96 層 3D QLC NAND 的 Intel SSD 665p 。作為對(duì)比，上一代 Intel SSD 660p 僅采用了 64 層 3D QLC NAND 。為了與西部數(shù)據(jù)（WD）爭(zhēng)搶上市，英特爾率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本則要等到 2020 年 1 季度。
英特爾不會(huì)推出 512GB 版本的一個(gè)原因，可能是吸取了上一代 QLC NAND（IntelSSD660p）出現(xiàn)性能暴降問題的教訓(xùn)，以及當(dāng)前 TLC SSD 的競(jìng)爭(zhēng)太過激烈。
主控方面，Intel SSD 665p 繼續(xù)采用了慧榮的 SM2263，輔以小型 DRAM 緩存和較大的可調(diào)整 SLC 緩存。
在將 QLC NAND 從 64 層升級(jí)到 96 層之后，其基礎(chǔ)性能已經(jīng)提升了 13.6%，應(yīng)該不會(huì)對(duì)實(shí)際使用產(chǎn)生明顯的影響。
即便如此，Intel SSD 665p 仍是一款入門級(jí)的 NVMe SSD 。即時(shí)它支持 x4 接口，性能上也與 PCIe 3.0 x2 版本沒有太大區(qū)別。
在 9 月發(fā)布的時(shí)候，英特爾展示過 660p 和 665p 的 CrystalDiskMark 基準(zhǔn)測(cè)試成績(jī)，前者的數(shù)據(jù)確實(shí)有些難看。
SLC 緩存突發(fā)方面還是有些看頭，只是緩存用完后的寫入速度，就“真實(shí)”得有些尷尬了。好消息是，665p 的寫入耐久性也有了較大的改善，兩種容量都較 660p 提升了 50% 左右。
據(jù)悉，660p 的日寫入量（DWPD）為 0.11，而 665 p 則是 0.16 。這與使用 TLC NAND 的低端消費(fèi)級(jí) SSD 的 0.3 DWPD 要遜色不少，但英特爾對(duì)自家第二代 QLC 還是充滿了信心。
展望未來，英特爾有望推出 144 層的 3D QLC NAND，并將于 2020 下半年上市。按照該公司的發(fā)布節(jié)奏，其有望在大約一年后迎來第二次刷新，然后再向 PICe 4.0 轉(zhuǎn)進(jìn)。
作為黑五大促的一部分，新蛋網(wǎng)目前正在以 82.99 美元（約 584 RMB）的價(jià)格在銷售 Intel SSD 660p 的 1TB 版本，但我們并不指望 665p 那么快就降到同樣的價(jià)格。
