前段時間，有傳聞表示，由于美國打壓華為力度提升，導致其對先進工藝的需求放緩，繼而影響了臺積電的7nm、5nm工藝產(chǎn)能計劃，并且其3nm工藝也被迫延期2個季度，直到2021年Q3季度才會風險試產(chǎn)。
日前，針對該傳聞，臺積電正式回應稱一切按照計劃進行，3nm工藝將如期在2021年Q1季度試產(chǎn)，2022年下半年正式量產(chǎn)，不會延期。
據(jù)悉，臺積電3nm是5nm之后的下一代節(jié)點，官方信息顯示3nm工藝晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm2，而5nm工藝不過是1.8億/mm2，而3nm性能較5nm提升7%，能耗比提升15%。
在工藝上，臺積電評估多種選擇后認為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會是FinFET晶體管技術(shù)。話說，就目前的情況而言，華為海思首發(fā)3nm工藝的可能性非常小，蘋果A系列芯片有很大概率會首發(fā)該工藝。
責任編輯：
