美國(guó)從很久以前的打壓華為，升級(jí)成了現(xiàn)在的要“打死”華為。舉國(guó)之力打華為，曾因?yàn)槿A為一家民營(yíng)企業(yè)宣布進(jìn)入國(guó)家緊急狀態(tài)，美國(guó)顯然是開創(chuàng)了人類政治史上的一項(xiàng)先河。
過去美國(guó)也在打壓華為，只不過現(xiàn)在越來越瘋狂了。讓美國(guó)吃秤砣鐵了心的繼續(xù)加碼打壓中國(guó)的一家民營(yíng)企業(yè)——華為，的原因之一也許就是華為在5G領(lǐng)域的絕對(duì)領(lǐng)先。
金一南教授曾表示:“5G是1840年以來中國(guó)第一次在技術(shù)領(lǐng)域獲得的一項(xiàng)領(lǐng)先，西方技術(shù)城墻被華為公司撕開了一個(gè)巨大的缺口?！?/p>
中國(guó)早期對(duì)于5G技術(shù)并沒有太過重視，一些國(guó)內(nèi)企業(yè)紛紛表示會(huì)推遲5G的進(jìn)展。然而某一天國(guó)內(nèi)的態(tài)度改變了。
美國(guó)國(guó)防部發(fā)表《5G生態(tài)系統(tǒng)研究報(bào)告》……從4G向5G的轉(zhuǎn)變將極大地影響全球通訊網(wǎng)絡(luò)的未來，并從根本上改變美國(guó)國(guó)防部的運(yùn)作環(huán)境；美國(guó)人認(rèn)為，5G的真正潛力是它對(duì)未來網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)爭(zhēng)的影響。
2019年6月6日工業(yè)和信息化部正式向移動(dòng)、聯(lián)通、電信和廣電頒發(fā)5G商用牌照。注意通常的操作是先頒發(fā)試運(yùn)營(yíng)牌照，再過2~3年頒發(fā)正式商用牌照。
目前中國(guó)的5G是領(lǐng)先于美國(guó)的。從專利數(shù)上講，華為排第一、中興排第三。從用戶體驗(yàn)上講，華為手機(jī)的網(wǎng)速要比其它手機(jī)更快更穩(wěn)。從部署情況上講，中國(guó)現(xiàn)在在建設(shè)的5G基站數(shù)快突破20w了，而美國(guó)到現(xiàn)在還是一個(gè)未知數(shù)。
華為創(chuàng)始人任正非曾表示，華為不是危險(xiǎn)公司，5G不是原子彈。然而美國(guó)就真把5G當(dāng)成了“原子彈”。去年《華盛頓郵報(bào)》評(píng)論，特朗普面臨最棘手的問題就是如何阻住中國(guó)的華為和中興主導(dǎo)全球數(shù)字基礎(chǔ)建設(shè)。從國(guó)家安全角度看，現(xiàn)今控制數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的重要性不亞于當(dāng)年造出第一顆原子彈。
目前美國(guó)主要打壓華為的是芯片代工環(huán)節(jié)。有人認(rèn)為中芯國(guó)際會(huì)頂著壓力給華為供貨。據(jù)了解，近日中芯國(guó)際獲得兩個(gè)國(guó)家級(jí)基金注資65億美元，為加快先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)充。
華為首個(gè)由中芯國(guó)際代工的SoC目前華為的麒麟710A芯片就是由中芯代工，芯片在性能較上代麒麟710f和710是倒退的。它采用14nm工藝打造，主頻降低到2.0GHz。這款處理器在日常使用上是沒問題的，為了擁有更好的性能華為給它配備了GPU Turbo、首發(fā)的榮耀play4T擁有雙通道6GB運(yùn)存、支持華為超級(jí)文件系統(tǒng)等。
這款手機(jī)的性能只能算是中低端。
中芯現(xiàn)在的制程工藝華為顯然無法通過中芯現(xiàn)在的14nm工藝做出旗艦性能的處理器。
以下一代麒麟1020為例，它采用A78（或A77）CPU核心、全新GPU，性能較麒麟990系列提升50%以上，并且繼續(xù)集成5G基帶，基帶還有可能支持毫米波。這一套豪華的配置需要更先進(jìn)的制程工藝來“壓”住它的“火力”。而中芯現(xiàn)在的14nm工藝顯然達(dá)不到要求。
中芯今年Q4季度的“7nm”由于它們不賣EUV光刻機(jī)，中芯就只能采用N+的方式達(dá)到行業(yè)要求的7nm標(biāo)準(zhǔn)。中芯向我們展示了他們的兩代N+計(jì)劃，N+1代和N+2代。但是我們也不要太樂觀，盡管是中芯國(guó)際的N+2代工藝可能也達(dá)不到最好的7nm標(biāo)準(zhǔn)，只是接近。
據(jù)了解，N+1工藝相比于14nm，SoC面積減少55%、性能提升20%、功耗降低57%。N+1代工藝主要面向低功耗芯片。該工藝的功耗和穩(wěn)定性和市面上的7nm相當(dāng)，但在性能上還是有一定的差距；中芯國(guó)際表示:N+1只是公司內(nèi)部的代號(hào)，和7nm并不能直接畫等號(hào)。
中芯表示，在2019年的第四季度，N+1已經(jīng)完成了流片?，F(xiàn)在在進(jìn)行客戶產(chǎn)品的驗(yàn)證階段，今年第四季度正式開始量產(chǎn)。
如果一切順利的話中芯的N+1工藝可以幫助華為生產(chǎn)中高端性能的芯片。
如果沒有頂級(jí)的制程工藝，華為以后的芯片可能就無法在性能超越高通了，并且還有可能面臨功耗的問題。
中芯不能代工7nm或是5nm的主要原因主要是，沒有先進(jìn)的EUV光刻機(jī)。中國(guó)只能生產(chǎn)90nm的光刻機(jī)。中科院曾表示，中國(guó)的光刻機(jī)落后ASML15年。目前能夠生產(chǎn)7nm及以下光刻機(jī)的企業(yè)只有荷蘭的ASML。
中國(guó)民用芯片做的最好的應(yīng)該就是華為的海思了，在性能上國(guó)內(nèi)其他同用途的芯片和海思麒麟相比簡(jiǎn)直就是一個(gè)天上一個(gè)地下。華為是中國(guó)極少數(shù)自己在弄“基礎(chǔ)架構(gòu)”的企業(yè)。
現(xiàn)在中國(guó)首先要解決的就是芯片代工問題，其次是芯片架構(gòu)。并且中國(guó)還需像華為海思這樣的芯片設(shè)計(jì)公司，并不是有了ARM和“沙子”所有500強(qiáng)企業(yè)就都能做出SoC了。
ARM在去年表示ARM為英國(guó)技術(shù)，最新的V9架構(gòu)可以為華為海思提供參考。
日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，其實(shí)在去年美國(guó)開始針對(duì)華為之后，通過拆解華為手機(jī)，發(fā)現(xiàn)華為最高端新機(jī)型中國(guó)產(chǎn)零件的使用率已經(jīng)從25%左右大幅上漲到42%，與此同時(shí)美國(guó)零部件則從11%左右降到了約1%。
而且在華為手機(jī)中國(guó)產(chǎn)零件價(jià)格的占比也是遠(yuǎn)高于外國(guó)零件。
用華為說的一句話結(jié)尾，沒有傷痕累累，哪來的皮糙肉厚，英雄自古多磨難！
